Транзистори побили рекорд мініатюрності

15/12/2012

Молібденовий стік і витікІнженери Массачусетського технологічного інституту створили рекорд мініатюрний МОП-транзистор на основі арсеніду галію-індію, розмір якого склав 22 нанометри. Доповідь про свою роботу учені представили на конференції в Сан-Франциско, стисло про неї пише сайт anchercap.com.
 
Рекорд мініатюризації вдалося встановити завдяки застосуванню матеріалу, який до цього не використовувався при виготовленні подібних транзисторів. Арсенід галію-індію широко відомий в електроніці, але застосовується в основному для виготовлення лазерів, СВЧ-генераторів, фотодатчиків і світлодіодів.
 
В той же час, методи обробки, які автори застосували для виготовлення мініатюрного транзистора - епітаксія і травлення електронним променем, були запозичені з існуючого арсеналу кремнієвої індустрії. Витік і стік виготовлялися з молібдену, а вирівнювання їх контакту із затвором здійснювалося за допомогою множинного розпилювання і труїть.
 
Новий транзистор належить до функціонального типу, найбільш поширеного при виготовленні мікропроцесорів. Автори розробки сподіваються, що в майбутньому їм вдасться виготовити на основі арсеніду галію-індію повноцінний мікрочіп з рекордною щільністю транзисторів.
 
Раніше інша група інженерів (також з MIT) застосувала для створення набору електронних пристроїв інший незвичайний матеріал - двовимірний сульфід молібдену, який іноді називають найвідомішим конкурентом графена.

Повернутися до списку публікацій



Останні новини

Статті

Попередні публікації