Створено транзистор на основі нітріду галію

25/06/2009

Китайський учений Вейсяо Хуан (Weixiao Huang) створив перший в світі транзистор на основі нітріда галію GaN, повідомляє Політехнічний інститут Ренсселера у своєму прес-релізі. За своїми характеристиками транзистор значно перевершує використовувані сьогодні кремнієві аналоги і може працювати у найекстремальніших умовах.

Розроблена Хуаном технологія дозволяє інтегрувати на один чіп декілька важливих функцій, що неможливо здійснити, використовуючи кремній. Тому перехід з кремнієвих транзисторів на GaN-транзистори дозволить значно спростити електронні схеми.

Також Хуан підкреслив, що заміна кремнієвих транзисторів на аналогічні, але виконані на основі нітріду галію, дозволить істотно зменшити енергоспоживання електроніки. Це призведе до скорочення витрат палива, а також до зниження рівня забруднення навколишнього середовища.

Ученим давно було відомо, що нітрід галію, а також інші елементи на основі галію, володіють кращою електропровідністю, ніж кремній. Проте Вейсяо Хуан виявився першим, кому вдалося створити транзистор на основі нітріду галію.

Раніше свою альтернативу кремнієвому транзистору представили компанії Intel і Qinetiq. Вони розробили транзистор на основі антимоніду індію. Проте для нормальної роботи антімонід-індієвих транзисторів необхідні температури не вищі за точку кипіння рідкого азоту, що дорівнює -196 градусам Цельсія.

Також як потенційна заміна кремнію в транзисторах розглядається графен. Електрони в цьому матеріалі переміщуються набагато швидше, ніж у кремнії.

Повернутися до списку публікацій



Останні новини

Статті

Попередні публікації